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沉淀的純度及影響因素

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沉淀的純度及影響因素:

影響沉淀純度的原因主要有兩個(gè):共沉淀和后沉淀。

1.共沉淀:當(dāng)一種沉淀從溶液中析出時(shí),溶液中某些本來(lái)可溶的雜質(zhì)也同時(shí)沉淀下來(lái)的現(xiàn)象。

(1)表面吸附:由于沉淀表面吸附所引起的雜質(zhì)共沉淀的現(xiàn)象

表面吸附是有選擇性的,選擇吸附的規(guī)律是:

第一吸附層:先吸附過(guò)量的構(gòu)晶離子,再吸附與構(gòu)晶離子大小接近、電荷相同的離子,濃度較高的離子被優(yōu)先吸附。

第二吸附層:優(yōu)先吸附與構(gòu)晶離子形成的鹽溶解度小的離子。離子價(jià)數(shù)高、濃度大的離子,優(yōu)先被吸附。

減小方法:制備大顆粒沉淀或晶形沉淀醫(yī)|學(xué)教|育網(wǎng)搜集整理,適當(dāng)提高溶液溫度,洗滌沉淀。

(2)形成混晶:沉淀過(guò)程中雜質(zhì)離子占據(jù)沉淀中某些晶格位置而進(jìn)入沉淀內(nèi)部形成混合晶體。

減小方法:將雜質(zhì)事先分離除去,或加入絡(luò)合劑或改變沉淀劑

(3)包藏或吸留:沉淀速度過(guò)快,表面吸附的雜質(zhì)來(lái)不及離開(kāi)沉淀表面就被隨后沉積下來(lái)的沉淀所覆蓋,包埋在沉淀內(nèi)部。

減小方法:改變沉淀?xiàng)l件,重結(jié)晶或陳化

2.后沉淀:溶液中某些本來(lái)可溶的雜質(zhì)在沉淀放置一端時(shí)間后沉淀到原沉淀表面的現(xiàn)象減小方法:縮短沉淀與母液的共置時(shí)間,或沉淀生成后,及時(shí)過(guò)濾

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主講老師:劉 楝老師

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